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聯電佈局14奈米 攜手ARM測試晶片設計定案

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发布时间:2015-06-23 18:30 录入:admin 热量值:3218

  為了佈局14奈米,聯電(2303-TW)今(22)日宣布,與全球IP矽智財授權領導廠商 ARM(安謀)(ARMH-US)合作基於聯電14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的PQV測試晶片,已經設計定案(tape out),代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯華電子高階晶圓製程驗證。

  此14奈米合作案,延續雙方成功將ARM Artisan® 實體 IP,整合至聯電28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產製程。

  聯電14奈米FinFET製程技術驗證,是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步,包括基礎IP 矽智財(foundation IP)和ARM處理器實體設計。

  ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示:「ARM和聯電已在數個技術世代上持續合作,且卓越。採用聯電14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案,對我們來說十分振奮。ARM與聯電將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。」

  聯電副總經理王國雍表示:「在聯電準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際,建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益是至關重要的。ARM是先進製程的IP矽智財全球領導供應商,我們很高興能夠延續先前的成功經驗,將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入聯華電子14奈米製程。」

  聯電表示,14奈米FinFET製程已達128mb SRAM產品良率,並預計於今年底接受客戶設計定案(tape-out)。

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  法律顧問:惠國法律事務所黃泰源律師。

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